SI5475DC-T1-E3 VISHAY分立半导体产品

零件编号 SI5475DC-T1-E3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI5475DC-T1-E3
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态过期
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 1mA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
Vgs（最大值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 31 毫欧 @ 5.5A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 1206-8 ChipFET™
封装/外壳 8-SMD，扁平引线

安富利（深圳）商贸有限公司，全球最专业的配单专家。一手货源!价格优势！所出的物料，绝对原装正品！放心购买！
本公司为一般纳税人，可开17%增值税票！欢迎垂询！

系列

-

类别

集成电路（IC）

产品族

存储器

电压 - 电源

-

供应SI5475DC-T1-E3 VISHAY分立半导体产品