供应Vishay MOSFET管 SI7913DN-T1-GE3 Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V

地区:广东 深圳
认证:

深圳市安桐派科技有限公司

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制造商零件编号:  SI7913DN-T1-GE3
制造商:  Vishay / Siliconix
Vishay / Siliconix
说明:  MOSFET Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V
制造商:  Vishay   
 
产品种类:  MOSFET   
 
RoHS:   详细信息  
 
商标:  Vishay / Siliconix  
 
晶体管极性:  P-Channel   
 
Vds-漏源极击穿电压:  - 20 V   
 
Vgs-栅源极击穿电压 :  8 V   
 
Id-连续漏极电流:  5 A   
 
Rds On-漏源导通电阻:  37 mOhms   
 
配置:  Dual   
 
最大工作温度:  + 150 C   
 
Pd-功率耗散:  1.3 W   
 
安装风格:  SMD/SMT   
 
封装 / 箱体:  PowerPAK 1212-8   
 
封装:  Reel   
 
通道模式:  Enhancement  
 
下降时间:  70 ns  
 
最小工作温度:  - 55 C  
 
上升时间:  70 ns  
 
工厂包装数量:  3000  
 
典型关闭延迟时间:  72 ns  
 
零件号别名:  SI7913DN-GE3
型号/规格

SI7913DN-T1-GE3

品牌/商标

Vishay

封装形式

QFN

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

中功率