0.8W贴片P沟道MOS场效应管FDC602P原装Fairchild*现货

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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数据列表

FDC602P

产品相片

PowerTrench Series

产品培训模块

High Voltage Switches for Power Processing

PCN Design/Specification

Mold Compound 08/April/2008

标准包装

3,000

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列

PowerTrench®

包装

带卷 (TR)

FET 类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能

逻辑电平栅*,2.5V 驱动

漏源*电压 (Vdss)

20V

电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)

5.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)

35 毫欧 @ 5.5A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)

1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

20nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

1456pF @ 10V

功率 - *大值

800mW

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装

6-SSOT

产品目录页面

1602 (CN2011-ZH PDF)

其它名称

FDC602P-ND



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询价QQ:2293789728  965535398

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FDC602P

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

硅(SI)

封装

SSOT-6