HBM 今年将占 DRAM 行业的 14%

　　TrendForce 高级副总裁 Avril Wu 表示，到 2024 年底，DRAM 行业预计将分配约 250K/m (14%) 的总产能用于生产 HBM TSV，预计年度供应位增长约为 260%。

　　HBM 在 DRAM 行业的收入份额（2023 年约为 8.4%）预计到 2024 年底将增至 20.1%。

　　HBM 今年将占 DRAM 行业的 14%
　　HBM 的芯片尺寸通常比相同工艺和容量的 DDR5 大 35-45%（例如，24Gb 与 24Gb）。
　　HBM的良率（含TSV封装）比DDR5低约20%~30%，生产周期（含TSV）比DDR5长1.5~2个月。
　　HBM 的生产周期比 DDR5 更长——从晶圆开始到最终封装超过两个季度。

　　三星的 HBM 总产能预计到年底将达到 130K 左右（包括 TSV）；Hynix的容量在120K左右。