Vishay推出高效80 V MOSFET,导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

时间:2020-02-11

    Vishay推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装的---SiR680ADP,它是80 V TrenchFET 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率,从而节省能源,其导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)为129 mW*nC,达到同类产品最佳水平。

  20200210_SiR680ADP.jpg

  日前发布的器件10 V条件下导通电阻典型值降至2.35 mΩ,超低栅极电荷仅为55 nC,COSS为614 pF。这些改进后的技术规格,经过调校最大限度降低开关、通道导通和二极管导通功耗,从而提高能效。这款MOSFET的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)比紧随其后的竞争产品低12.2 %,比前代器件低22.5 %,使其成为典型48 V输入,12 V输出DC/DC转换器最高效的解决方案。

  SiR680ADP可作为模块用于各种DC/DC和AC/DC转换应用,如同步整流、原边开关、降压-升压转换器,谐振回路开关转换器以及系统OR-ing功能,适用于电信和数据中心服务器电源、太阳能微型逆变器、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

  新款MOSFET经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

  SiR680ADP现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。


上一篇:是德科技推出全新信道仿真器,助力拓展卫星通信市场
下一篇:Marvell发布面向数据中心和5G基础设施的双端口400GbE MACsec PHY,采用C类PTP时间戳

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。