Linear推出全新理想二极管桥控制器--LT4321

时间:2013-10-28

  导读:据报道,Linear(凌力尔特公司)日前宣布推出一款全新的理想二极管桥控制器--LT4321.该器件用低功耗 N 沟道MOSFET桥取代了两个二极管桥式整流器

  日前,Linear(凌力尔特公司)宣布推出全新的理想二极管桥控制器--LT4321,该器件用低功耗 N 沟道MOSFET桥取代了两个二极管桥式整流器,以在以太网供电的受电设备 (PoE PD) 中提高可用功率并减少热量。

  据悉,IEEE 802.3 PoE 规范要求受电设备(PD) 的以太网输入端能够接受任何极性的DC电源电压。具有高空间利用率和电源效率的 LT4321 双路有源桥可对来自数据线对和空闲线对的电源进行整流并将其平滑地整合为极性正确的单个电源输出。

  主要特点:

  (1)利用低功耗 N 沟道MOSFET桥取代了两个二极管桥式整流器;

  (2)双路“或”二极管桥的低损耗型替代方案;

  (3)提高可用功率,减少热量,方便热设计;

  (4)偏置电流不影响 IEEE 802.3 检测和分级;

  (5)与PD控制器配对时,符合 IEEE 802.3 要求以及符合 PoE / PoE+ / LTPoE++ 标准要求;

  (6)电信电源的极性校正及“或”处理;

  (7)电路尺寸和成本都降低了。

  LT4321功率可降低 10 倍或更多,从而使 PD 能够保持在 PoE 分级限制之内,或者使 PD 能够增加富有价值的功能,同时保持类别不变。由于电源效率提高而无需散热要求,所以电路尺寸和成本都降低了。 另外,LT4321 经过精心设计,以符合 IEEE 802.3 的要求,该控制器用在 2 或 4 线对以太网上,与 PoE、PoE+ 和 LTPoE++标准兼容。集成的充电泵为 8 个低导通电阻 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动,无需外部电容器

  技术指标:

  ●控制 8 个 N 沟道 MOSFET

  ●工作范围:20V ~ 80V DC(100V 值)

  ●偏置电流:从 0.5mA降至 32μA

  ●静态电流:0.8mA (值)

  ●停机电流:60μA (值)

  ●环境温度范围:-40℃~ +125℃

  ●用于两线对或 4 线对 PoE 应用

  ●封装:采用16 引脚 4mm x 4mm QFN

  供货情况:

  LT4321采用紧凑型 16 引脚 4mm x 4mm QFN 封装。

  LT4321千片批购价为每片 2.95 美元。该样品和评估电路板可在网上或联系凌力尔特当地办事处查询。

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