制造商:IXYS产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:46 ARds On-漏源导通电阻:76 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:2.7 VVgs - 栅极-源极电压:30 VQg-栅极电荷:75 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:660 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:HiPerFET封装:Tube系列:650V Ultra Junction X2 商标:IXYS 正向跨导 - 值:17 S 下降时间:6 ns 产品类型:MOSFET