制造商:IXYS产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-3P-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:250 VId-连续漏极电流:50 ARds On-漏源导通电阻:60 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:5 VVgs - 栅极-源极电压:30 VQg-栅极电荷:78 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:400 W配置:Single