该60V P沟道MOSFET用于半导体的高压电源沟道工艺。它已针对电源管理应用进行了优化。

●特征：

■–3 A，-60 V:R-DS（开）=0.105? @ V-GS=–10 V，R-DS（开启）=0.135? @ V-GS=–4.5 V
■快速开关速度
■超低R-D（ON）的高性能沟槽技术