品牌：     FAIRCHILD/仙童     

商品类型：     MOS(场效应管)      

漏源电压（Vdss）：     400V        

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：           30A 

栅源极阈值电压：             5V @ 250uA    

漏源导通电阻：          140mΩ @ 15A,10V       

大功率耗散（Ta=25°C）：           290W       

类型：         N沟道

Fairchild飞兆半导体公司的历史可以追溯至1957年,当时,ShermanMillsFairchild,仙童公司的创立者,组织了一些科学家在美国加州研究晶体管制造新工艺,其中有RobertNevce和GordonMoore,就是现在Intel公司的创立者。1959年研究成功平面工艺制造技术,从此,平面技术成为晶体管制造的基本方法。