安森美半导体推出全新的中压N沟道MOSFET阵容

发布时间:2015/7/24 15:53:05

安森美半导体推出全新的中压N沟道MOSFET阵容 

2015 5 19 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容。

这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS(on) 值,从而将导通损耗降至并提升整体工作能效水平。它们还有低至2164皮法(pF)的门极电容(Ciss),确保保持尽可能低的驱动损耗。

安森美半导体新的NTMFS5C404NLTNTMFS5C410NLTNTMFS5C442NLT MOSFET额定击穿电压为40(V),导通电阻值(Vgs10 V)分别为0.74毫欧(mΩ)0.9 m2.8 m,连续漏电流分别为352(A)315 A127 A。与这些器件相辅相成的NTMFS5C604NLNTMFS5C612NLNTMFS5C646NL,额定击穿电压60 V,导通电阻分别为1.2 m 1.5 mΩ 4.7 m,而相关的连续漏电流为287 A 235 A 93 A40 V60 V的这两种器件的额定工作结温都高达175 ˚C,从而为工程师的设计提供更大的热余裕。安森美半导体将推出采用更多的电阻值和不同的封装,如micro8FLDPAK TO220来扩大此产品线。

安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理Paul Leonard说:“OEM的工程团队不断致力于创建更高能效的电力系统设计,同时占用更少用板空间。我们新加的器件扩大了我们广泛的功率MOSFET产品阵容,为客户提供高性能的器件,采用紧凑的、高热能效的封装,帮助他们达到更高能效的设计目标。

封装和定价

NTMFS5C404NL NTMFS5C410NL NTMFS5C442NL NTMFS5C604NLNTMFS5C612NL NTMFS5C646NL都采用紧凑的、符合RoHSSO8FL (DFN-8)封装,每10,000片批量的单价从0.42美元起。


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